具有獨特優(yōu)勢的拓撲量子材料
導(dǎo)致茚的合成的獨特材料設(shè)計可以改善電子領(lǐng)域的當(dāng)前技術(shù)狀態(tài)：與石墨烯相比，茚不需要冷卻到超低溫來表現(xiàn)其作為拓撲絕緣體的特性. 這是特別簡單的三角形晶格的結(jié)果，它允許大的結(jié)構(gòu)域，通常是其他材料合成中的嚴重瓶頸。
我們確實很驚訝，這樣一個簡單的原子結(jié)構(gòu)可以顯示拓撲特性。這是成功生長完美茚薄膜的重要資產(chǎn)，可以滿足器件納米制造所需的苛刻標準。此外，使用碳化硅作為支撐襯底使我們能夠連接到成熟的半導(dǎo)體技術(shù)，

外表
茚的簡單結(jié)構(gòu)同時也代表了一個挑戰(zhàn)：單層銦原子一旦與空氣接觸，材料就會失去其特殊性能。出于這個原因，研究人員目前正在開發(fā)一種原子覆蓋層，可以保護茚在其合成過程中免受不必要的污染。這些問題的解決方案將為大規(guī)模使用這些拓撲量子材料鋪平道路。